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    快速订购 SCT20N120 SiC MOSFET 请致电:0755- 83979915,83222235。

    ID 356076
    更新日期 2017年11月20日
    型号
    SCT20N120:一手货源,进口原装,长期稳定供应
    在线洽谈
    系列 SiC MOSFET_MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package
    厂商 ST
    封装 TO-247
    库存数量 1000
    包装 1000只/盒请参考以下详细说明
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    参考价格 ¥电询快速订购SCT20N120,请致电18925266516, 。
    DC
    描述 全新原装环保
    Parameter SCT20N120:
    Datasheets 索取SCT20N120的资料,请电邮mazda@32stm.com。
    ST增值代理分销商

    SCT20N120
    SCT20N120
    SCT20N120

    MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

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    ,在线洽谈 在线洽谈
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    地址:深圳市福田区中航路都会100大厦B座12S
    市场:深圳市福田区振华路高科德交易中心A2869
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    型号 厂商 封装 类型
    SCT20N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT10N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT30N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT50N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT20N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT10N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT30N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET
    SCT50N120 ST MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 10 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package SiC MOSFET

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